DIM600M1HS17-PA500 半桥Trench Gen5 IGBT模块数据手册

器件特点 FEATURES

• 沟槽栅Trench Gen5 IGBT芯片
• 优异热循环耐受能力
• 铜基板+高氧化铝绝缘陶瓷衬底
• 10μs短路耐受能力

应用 APPLICATIONS

• 风力发电机组变流器
• 大功率充电设备
• 智能电网换流装置
• 高可靠工业逆变器

产品概述

订购信息 ORDERING INFORMATION

关键参数 KEY PARAMETERS

绝对最大额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

测试条件：管壳温度Tc=25℃（未特殊标注时），超出额定值会造成器件永久损坏

符号	参数名称	数值	单位
V CES	集射极额定电压	1700	V
V CE(sat) (typ)	饱和压降典型值	1.80	V
I C(max)	连续集电极最大电流	600	A
I C(RM)(max)	重复峰值集电极电流	1200	A

符号	参数名称	测试条件	最大值	单位
V CES	集射极电压	V GE=0V，Tc=25℃	1700	V
V GES	栅射极电压	Tc=25℃	±20	V
I C	连续集电极电流	Tc=100℃，Tvj≤175℃	600	A
I C(PK)	峰值集电极电流	脉冲宽度tp=1ms	1200	A
P max	最大耗散功率	Tc=25℃，Tvj=175℃	3.26	kW
I²t	续流二极管I²t容量	VR=0，tp=10ms，Tvj=150℃	41.5	kA²s
V isol	模块绝缘耐压	端子短接对基板，AC50Hz，1分钟	3400	V

热与机械参数 THERMAL AND MECHANICAL RATINGS

符号	参数名称	最小	典型	最大	单位
Rth(j-c) IGBT	IGBT结壳热阻	-	-	46	℃/kW
Rth(j-c) Diode	二极管结壳热阻	-	80	-	℃/kW
Rth(c-h) IGBT	IGBT壳散热器热阻	-	33	-	℃/kW
Rth(c-h) Diode	二极管壳散热器热阻	38	-	-	℃/kW
Tj	IGBT/二极管结温	-40	-	150	℃
Tstg	存储温度	-40	-	125	℃
Screw torque M5	M5安装螺栓扭矩	3	-	6	Nm
Screw torque M6	M6电气端子扭矩	3	-	6	Nm

静态电气特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tc=25℃）

符号	参数名称	测试条件	最小	典型	最大	单位
I CES	集电极截止电流	VGE=0V,VCE=1700V,Tc=25℃	-	-	1	mA
I CES	集电极截止电流	VGE=0V,VCE=1700V,Tc=125℃	-	-	15	mA
I CES	集电极截止电流	VGE=0V,VCE=1700V,Tc=150℃	-	-	30	mA
I GES	栅极漏电流	VGE=±20V,VCE=0V	-	-	0.5	μA
V GE(TH)	栅极阈值电压	Ic=15mA,VGE=VCE	5.60	6.20	6.80	V
V CE(sat)	饱和压降	VGE=15V,Ic=600A,Tc=25℃	-	1.80	2.20	V
V CE(sat)	饱和压降	VGE=15V,Ic=600A,Tvj=125℃	-	2.20	-	V
V CE(sat)	饱和压降	VGE=15V,Ic=600A,Tvj=150℃	-	2.30	-	V
I F	二极管直流正向电流	直流工况	-	600	-	A
I FM	二极管峰值电流	tp=1ms	-	1200	-	A
V F	二极管正向压降	If=600A,Tc=25℃	-	1.85	2.25	V
V F	二极管正向压降	If=600A,Tvj=125℃	-	2.10	-	V
V F	二极管正向压降	If=600A,Tvj=150℃	-	2.10	-	V
C ies	输入电容	VCE=25V,VGE=0V,f=100kHz	-	96	-	nF
Q g	总栅电荷	VGE=±15V	-	6.1	-	μC
C res	反向传输电容	VCE=25V,VGE=0V,f=100kHz	-	0.7	-	nF
L M	模块杂散电感	-	-	20	-	nH
R INT	芯片内部电阻	-	-	1	-	mΩ
I SC	短路电流	Tvj=150℃,VCC=1000V,tp≤10μs	-	2400	-	A

NTC热敏电阻参数

符号	参数名称	测试条件	最小	典型	最大	单位
R25	25℃标称电阻	Tc=25℃	-	5	-	kΩ
ΔR/R	阻值偏差	Tc=100℃,R100=493Ω	-5	-	5	%
P25	25℃额定功耗	Tc=25℃	-	-	20	mW
B25/50	B值(25/50℃)	-	-	3375	-	K
B25/80	B值(25/80℃)	-	-	3411	-	K
B25/100	B值(25/100℃)	-	-	3433	-	K

动态开关特性（Tc=25℃）

符号	参数名称	测试条件	典型	最大	单位
td(off)	关断延迟时间	Ic=600A,VCE=900V,RG=1Ω	-	760	ns
tf	关断下降时间	dv/dt=5000V/μs	360	-	ns
E OFF	关断损耗	-	135	-	mJ
td(on)	开通延迟时间	di/dt=7700A/μs	285	-	ns
tr	开通上升时间	-	81	-	ns
E ON	开通损耗	-	45	-	mJ
Q rr	二极管反向恢复电荷	If=600A	155	-	μC
I rr	反向恢复峰值电流	VCE=900V,di/dt=7700A/μs	720	-	A
E rec	反向恢复损耗	-	123	-	mJ

动态开关特性（Tc=125℃）

符号	参数名称	典型	最大	单位
td(off)	关断延迟时间	-	860	ns
tf	关断下降时间	500	-	ns
E OFF	关断损耗	183	-	mJ
td(on)	开通延迟时间	295	-	ns
tr	开通上升时间	85	-	ns
E ON	开通损耗	61	-	mJ
Q rr	反向恢复电荷	250	-	μC
I rr	反向恢复电流	810	-	A
E rec	反向恢复损耗	192	-	mJ

动态开关特性（Tc=150℃）

符号	参数名称	典型	最大	单位
td(off)	关断延迟时间	-	870	ns
tf	关断下降时间	535	-	ns
E OFF	关断损耗	194	-	mJ
td(on)	开通延迟时间	300	-	ns
tr	开通上升时间	86	-	ns
E ON	开通损耗	67	-	mJ
Q rr	反向恢复电荷	270	-	μC
I rr	反向恢复电流	830	-	A
E rec	反向恢复损耗	209	-	mJ

封装说明