KFX 2900-18~20 非对称快速晶闸管 Fast Switching Asymmetric Thyristor 数据手册

株洲中车时代半导体有限公司 ZHUZHOU CRRC TIMES SEMICONDUCTOR CO., LTD.

关键参数 Key Parameters

符号 参数名称 数值 单位
VDRM 断态重复峰值电压 1800 ~ 2000 V
IT(AV) 通态平均电流 2916 A
ITSM 通态不重复浪涌电流 30.9 kA
VTO 门槛电压 1.21 V
rT 斜率电阻 0.135

应用场景 Applications

型号电压规格

器件型号 VDRM/VRRM (V) 测试条件
KFx 2900-18 1800/200 T=125℃;IDRM=IRRM ≤300mA / ≤5mA
KFx 2900-20 2000/200

器件特点 Features

热与机械参数 Thermal & Mechanical Data

符号 参数名称 最小 典型 最大 单位
Rjc 结壳热阻 - - 0.010 K/W
Rcs 接触热阻 - - 0.003 K/W
Tj 工作结温 -40 - 125
Tstg 贮存温度 -40 - 150
F 紧固力 - 56 - kN
H 器件高度 26.2 - 27.2 mm
m 器件质量 - 1.07 - kg

电流额定值 Current Ratings

符号 参数名称 测试条件 典型值 单位
IT(AV) 通态平均电流 正弦半波, TC=55℃ 2916 A
IT(AV) 通态平均电流 正弦半波, TC=70℃ 2462 A
IT(RMS) 通态方均根电流 TC=55℃ 4580 A
ITSM 通态不重复浪涌电流 TC=125℃,10ms正弦半波,VR=0 30.9 kA
I²t 电流平方时间积 10ms正弦波 477×10⁴ A²s

静态特性 Characteristic Parameters

符号 参数名称 测试条件 最大值 单位
VTM 通态峰值电压 Tj=125℃, ITM=4000A 1.75 V
IDRM/IRRM 断态/反向重复峰值电流 Tj=125℃,额定电压 300 mA
VTO 门槛电压 Tj=125℃ 1.21 V
rT 斜率电阻 Tj=125℃ 0.135
IH 维持电流 Tj=25℃,IG=2A 300 mA
IL 擎住电流 Tj=25℃,IG=2A 1000 mA

动态参数 Dynamic Parameters

符号 参数名称 测试条件 规格 单位
dv/dt 断态电压临界上升率 Tj=125℃,67%VDRM 最小1000 V/μs
di/dt 通态电流临界上升率 Tj=125℃,ITM=4000A 最大1000 A/μs
tgt 开通时间 Tj=25℃,ITM=4000A 最大3 μs
tq 关断时间 Tj=125℃,IT=4000A 最大80 μs
Qrr 反向恢复电荷 Tj=125℃,-di/dt=60A/μs 典型2060 μC

门极参数 Gate Parameters

符号 参数名称 最小 典型 最大 单位
IGT 门极触发电流 40 - 180 mA
VGT 门极触发电压 0.8 - 3 V
VGD 门极不触发电压 0.2 - - V
VFGM 门极正向峰值电压 - - 16 V
VRGM 门极反向峰值电压 - - 5 V
IFGM 门极正向峰值电流 - - 4 A
PGM 门极峰值功率 - - 20 W
PG(AV) 门极平均功率 - - 4 W

型号编码规则

编码格式:KFx2900 - XX Y Z

示例:KF2900-18MG → 1800V,关断80μs,dv/dt=1000V/μs