KKC3500-45~52 快速晶闸管 Fast Switching Thyristor 数据手册
株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部 Semiconductor Business Unit, Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Limited
关键参数 Key Parameters
| 符号 |
参数名称 |
数值 |
单位 |
| VDRM |
断态重复峰值电压 |
4500~5200 |
V |
| IT(AV) |
通态平均电流 |
3505 |
A |
| ITSM |
通态不重复浪涌电流 |
44 |
kA |
| VTO |
门槛电压 |
1.53 |
V |
| rT |
斜率电阻 |
0.153 |
mΩ |
应用 Applications
- 中频电源 M.F. Inductive heating systems
- 直流斩波 DC choppers
- 脉冲电源 Pulse electrical power supplies
器件特点 Features
- 平板压装,双面冷却 Double-side cooling
- 开关损耗小 Low switching loss
- 关断时间短 Shorter turn-off time
电压额定值 Voltage Ratings
| 器件型号 |
VDRM/VRRM (V) |
测试条件 |
| KKC3500-45 |
4500 |
Tj=25/110℃;IDRM、IRRM ≤500mA;门极断路;tp=10ms |
| KKC3500-48 |
4800 |
| KKC3500-50 |
5000 |
| KKC3500-52 |
5200 |
|
热与机械数据 Thermal & Mechanical Data
| 符号 |
参数名称 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
| RthJC |
结壳热阻 |
- |
- |
0.005 |
K/W |
| RthCH |
接触热阻 |
- |
- |
0.0015 |
K/W |
| Tvj |
内部等效结温 |
-40 |
- |
110 |
℃ |
| Tstg |
贮存温度 |
-40 |
- |
140 |
℃ |
| m |
器件质量 |
- |
2.5 |
- |
kg |
| 加速度(紧压) |
抗振动加速度 |
- |
100 |
- |
m/s² |
| 加速度(非紧压) |
抗振动加速度 |
- |
- |
50 |
m/s² |
| Ds |
爬电距离 |
- |
36 |
- |
mm |
| Da |
电气间隙 |
- |
15 |
- |
mm |
电流额定值 Current Ratings
| 符号 |
参数名称 |
测试条件 |
最大值 |
单位 |
| IT(AV) |
通态平均电流 |
正弦半波, TC=55℃ |
3505 |
A |
| IT(AV) |
通态平均电流 |
正弦半波, TC=70℃ |
2808 |
A |
| IT(RMS) |
通态方均根电流 |
TC=55℃ |
5500 |
A |
| ITSM |
通态不重复浪涌电流 |
Tvj=110℃,10ms正弦半波,VR=0 |
44.0 |
kA |
| I²t |
电流平方时间积 |
10ms正弦波 |
968×10⁴ |
A²s |
静态特性 Characteristic Parameters
| 符号 |
参数名称 |
测试条件 |
最大值 |
单位 |
| VTM |
通态峰值电压 |
Tvj=110℃, ITM=4000A |
2.15 |
V |
| IDRM/IRRM |
断态/反向重复峰值电流 |
Tvj=25/110℃,门极断路 |
500 |
mA |
| VTO |
门槛电压 |
Tvj=110℃ |
1.53 |
V |
| rT |
斜率电阻 |
Tvj=110℃ |
0.153 |
mΩ |
| IH |
维持电流 |
Tvj=25℃,IG=2A,VD=12V |
300 |
mA |
| IL |
擎住电流 |
Tvj=25℃,IG=2A,VD=12V |
1000 |
mA |
动态参数 Dynamic Parameters
| 符号 |
参数名称 |
测试条件 |
规格 |
单位 |
| dv/dt |
断态电压临界上升率 |
Tvj=110℃,线性上升至0.67VDRM |
最小2000 |
V/μs |
| di/dt |
通态电流临界上升率 |
Tvj=110℃, ITM=6000A |
最大1000 |
A/μs |
| tgt |
开通时间 |
Tvj=25℃, ITM=4000A |
最大5 |
μs |
| tq |
关断时间 |
Tvj=110℃, IT=4000A |
最大200 |
μs |
| Qrr |
反向恢复电荷 |
Tvj=110℃,-di/dt=60A/μs |
典型8000 |
μC |
门极参数 Gate Parameters
| 符号 |
参数名称 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
| IGT |
门极触发电流 |
40 |
- |
180 |
mA |
| VGT |
门极触发电压 |
0.8 |
- |
3 |
V |
| VGD |
门极不触发电压 |
0.2 |
- |
- |
V |
| VFGM |
门极正向峰值电压 |
- |
- |
16 |
V |
| VRGM |
门极反向峰值电压 |
- |
- |
5 |
V |
| IFGM |
门极正向峰值电流 |
- |
- |
4 |
A |
| PGM |
门极峰值功率 |
- |
- |
20 |
W |
| PG(AV) |
门极平均功率 |
- |
- |
4 |
W |