TG450HF12M1-S3A00 半桥IGBT模块数据手册

关键参数 Key Parameters

符号	参数名称	典型/最大值	单位
V CES	集射极额定电压	1200	V
V CE(sat)	饱和压降典型值	1.65	V
I C	连续集电极最大电流	450	A
I C(RM)	重复峰值集电极电流	900	A

典型应用 Typical Applications

• 电动汽车
• 充电装置
• 光伏发电
• 高可靠性逆变器

器件特点 Features

• 铜基板
• 增强型氧化铝衬板
• 高热循环能力
• 10μs短路承受能力

模块标签说明

数据位置	数据内容
1--8	模块批次号
9--16	模块序列号

最大额定值 Absolute Maximum Ratings

符号	参数名称	测试条件	数值	单位
V CES	集电极-发射极电压	V GE = 0V, T C = 25 ℃	1200	V
V GES	栅极-发射极电压	T C = 25 ℃	±20	V
I C	集电极电流	T C = 100 ℃, T vj max = 175℃	450	A
I C(PK)	集电极峰值电流	t P =1ms	900	A
P max	晶体管最大损耗	T vj = 175℃, T C = 25 ℃	2.80	kW
I²t	二极管I²t容量	V R =0V, t P = 10ms, T vj = 150 ℃	27.2	kA²s
V isol	模块绝缘电压	端子短接对基板，AC50Hz 1min	2500	V

热与机械尺寸参数

参数项目	说明	数值	单位
爬电距离	端子-散热器	14.5	mm
爬电距离	端子-端子	13.0	mm
电气间隙	端子-散热器	12.5	mm
电气间隙	端子-端子	10.0	mm
CTI漏电指数	绝缘基材	>200	-
模块重量	整体重量	345	g
封装代码	模块外形类型	M1	-

热阻与温度参数

符号	参数名称	测试条件	Min	Typ	Max	单位
R th(J-C) IGBT	IGBT结壳热阻	-	-	-	52	K/kW
R th(J-C) Diode	二极管结壳热阻	-	-	-	86	K/kW
R th(C-H) IGBT	IGBT壳散热器热阻	M5力矩5Nm，导热脂	-	30	-	K/kW
R th(C-H) Diode	二极管壳散热器热阻	M5力矩5Nm，导热脂	-	45	-	K/kW
T vj op	工作结温	IGBT/二极管	-40	-	150	℃
T stg	存储温度	-	-40	-	125	℃
M5安装力矩	基板固定螺栓	-	3	-	6	Nm
M6接线力矩	功率端子螺栓	-	3	-	6	Nm

NTC热敏电阻参数

符号	参数名称	测试条件	Min	Typ	Max	单位
R 25	25℃标称电阻	T C = 25 ℃	-	5	-	kΩ
ΔR/R	阻值偏差	T C = 100 ℃, R100=493Ω	-5	-	5	%
P 25	25℃功耗	-	-	-	20	mW
B25/50	B值	-	-	3375	-	K
B25/80	B值	-	-	3411	-	K
B25/100	B值	-	-	3433	-	K

静态电气特性（Tc=25℃，无特殊说明）

符号	参数名称	测试条件	Min	Typ	Max	单位
I CES	集电极截止电流	VGE=0V,VCE=1200V,Tc=25℃	-	-	1	mA
I CES	集电极截止电流	VGE=0V,VCE=1200V,Tc=125℃	-	-	10	mA
I CES	集电极截止电流	VGE=0V,VCE=1200V,Tc=150℃	-	-	20	mA
I GES	栅极漏电流	VGE=±20V,VCE=0V	-	-	0.5	μA
V GE(TH)	栅极阈值电压	I C=15mA,VGE=VCE	5.30	5.90	6.50	V
V CE(sat)	饱和压降	VGE=15V,IC=450A,Tc=25℃	-	1.65	2.05	V
V CE(sat)	饱和压降	VGE=15V,IC=450A,Tvj=125℃	-	1.95	2.35	V
V CE(sat)	饱和压降	VGE=15V,IC=450A,Tvj=150℃	-	2.00	2.40	V
I F	二极管直流电流	直流工况	-	450	-	A
I FRM	二极管峰值电流	tp=1ms	-	900	-	A
V F	二极管正向压降	IF=450A,Tc=25℃	-	1.65	2.05	V
V F	二极管正向压降	IF=450A,Tvj=125℃	-	1.75	2.15	V
V F	二极管正向压降	IF=450A,Tvj=150℃	-	1.75	2.15	V
I SC	短路电流	Tvj=150℃,VCC=800V,tp≤10μs	-	1900	-	A

电容与杂散参数

符号	参数名称	测试条件	Typ	单位
C ies	输入电容	VCE=25V,VGE=0V,f=100kHz	62	nF
Q g	总栅电荷	VGE=±15V	4.6	μC
C res	反向传输电容	VCE=25V,VGE=0V,f=100kHz	0.82	nF
L M	模块杂散电感	-	20	nH
R INT	芯片内阻	-	1.1	mΩ

动态开关参数

符号	参数名称	测试条件	Tvj	Typ	单位
t d(off)	关断延迟时间	IC=450A,VCE=600V,RG=2.2Ω	25℃	680	ns
t d(off)	关断延迟时间	IC=450A,VCE=600V,RG=2.2Ω	125℃	720	ns
t d(off)	关断延迟时间	IC=450A,VCE=600V,RG=2.2Ω	150℃	730	ns
t f	关断下降时间	同上	25℃	130	ns
t f	关断下降时间	同上	125℃	240	ns
t f	关断下降时间	同上	150℃	270	ns
E OFF	关断损耗	同上	25℃	46	mJ
E OFF	关断损耗	同上	150℃	62	mJ
t d(on)	开通延迟时间	di/dt=5300A/μs,RG=2.2Ω	125℃	265	ns
t d(on)	开通延迟时间	di/dt=5300A/μs,RG=2.2Ω	150℃	267	ns
t r	开通上升时间	同上	25℃	95	ns
t r	开通上升时间	同上	125℃	100	ns
t r	开通上升时间	同上	150℃	102	ns
E ON	开通损耗	同上	25℃	19	mJ
E ON	开通损耗	同上	125℃	24	mJ
E ON	开通损耗	同上	150℃	30	mJ
Q rr	反向恢复电荷	IF=450A,-diF/dt=5300A/μs	25℃	52	μC
Q rr	反向恢复电荷	IF=450A,-diF/dt=5300A/μs	125℃	88	μC
Q rr	反向恢复电荷	IF=450A,-diF/dt=5300A/μs	150℃	100	μC
I rr	反向恢复峰值电流	同上条件	25℃	350	A
I rr	反向恢复峰值电流	同上条件	125℃	420	A
I rr	反向恢复峰值电流	同上条件	150℃	440	A
E rec	反向恢复损耗	同上条件	25℃	25	mJ
E rec	反向恢复损耗	同上条件	125℃	45	mJ
E rec	反向恢复损耗	同上条件	150℃	50	mJ

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