TG450HF17M1-S300 半桥型IGBT模块数据手册

关键参数 Key Parameters

符号	参数名称	数值	单位
V CES	集射极额定电压	1700	V
V CE(sat)	饱和压降典型值	1.80	V
I C	连续集电极最大电流	450	A
I C(RM)	重复峰值集电极电流	900	A

器件特点 Features

• 铜基板 Cu Baseplate
• 增强型氧化铝衬板 Enhanced Al₂O₃ Substrates
• 优异高热循环耐受能力 High Thermal Cycling Capability
• 10μs短路耐受能力 10μs Short Circuit Withstand

典型应用 Typical Applications

• 马达驱动 Motor Drives
• 充电装置 Power Charging Equipment
• 无功补偿 Reactive Compensation
• 高可靠性逆变器 High Reliability Inverter

模块标签编码说明 Module Label Code Instruction

数据位置	对应内容
1~8位	模块批次号 Module batch number
9~12位	模块序列号 Module serial number

最大额定值 Absolute Maximum Ratings

符号	参数名称	测试条件	数值	单位
V CES	集电极-发射极电压	V GE = 0V, T C = 25 ℃	1700	V
V GES	栅极-发射极电压	T C = 25 ℃	±20	V
I C	连续集电极电流	T C = 100 ℃, T vj max = 175℃	450	A
I C(PK)	峰值集电极电流	脉冲宽度 t P =1ms	900	A
P max	晶体管最大耗散功率	T vj = 175℃, T C = 25 ℃	2700	W
I²t	二极管I²t容量	V R =0V, t P = 10ms, T vj = 150 ℃	18.4	kA²s
V isol	模块绝缘耐压	端子短接对基板，AC50Hz 1分钟	3400	V

热与机械基础尺寸参数

项目	说明	数值	单位
爬电距离	端子-散热器	14.5	mm
爬电距离	端子-端子	13.0	mm
电气间隙	端子-散热器	12.5	mm
电气间隙	端子-端子	10.0
CTI漏电起痕指数	绝缘基材	>200	-

热阻与温度、安装参数

符号	参数名称	Min	Typ	Max	单位
R th(J-C) IGBT	IGBT结壳热阻	-	-	55	K/kW
R th(J-C) Diode	二极管结壳热阻	-	-	95	K/kW
R th(C-H) IGBT	IGBT壳散热器热阻	-	28	-	K/kW
R th(C-H) Diode	二极管壳散热器热阻	-	48	-	K/kW
T vj op	IGBT/二极管工作结温	-40	-	150	℃
T stg	存储温度	-40	-	125	℃
M5安装螺栓扭矩	基板固定力矩	3	-	6	Nm
M6功率端子扭矩	电气接线力矩	3	-	6	Nm

NTC热敏电阻参数

符号	参数名称	测试条件	Min	Typ	Max	单位
R 25	25℃标称电阻	T C = 25 ℃	-	5	-	kΩ
ΔR/R	100℃阻值偏差	T C = 100 ℃, R100=493Ω	-5	-	5	%
P 25	25℃最大功耗	-	-	20	mW
B25/50	B值(25/50℃)	-	3375	-	K
B25/80	B值(25/80℃)	-	3411	-	K
B25/100	B值(25/100℃)	-	3433	-	K

静态电气特性（Tc=25℃，无特殊说明）

符号	参数名称	测试条件	Min	Typ	Max	单位
I CES	集电极截止电流	VGE=0V,VCE=1700V,Tc=25℃	-	-	1	mA
I CES	集电极截止电流	VGE=0V,VCE=1700V,Tc=125℃	-	-	10	mA
I CES	集电极截止电流	VGE=0V,VCE=1700V,Tc=150℃	-	-	20	mA
I GES	栅极漏电流	VGE=±20V,VCE=0V	-	-	0.5	μA
V GE(TH)	栅极阈值电压	I C=15mA,VGE=VCE	5.00	6.00	7.00	V
V CE(sat)	饱和压降	VGE=15V,IC=450A,Tc=25℃	-	1.80	2.20	V
V CE(sat)	饱和压降	VGE=15V,IC=450A,Tvj=125℃	-	2.10	2.50	V
V CE(sat)	饱和压降	VGE=15V,IC=450A,Tvj=150℃	-	2.20	2.60	V
I F	二极管直流电流	直流工况	-	450	-	A
I FRM	二极管峰值电流	tp=1ms	-	900	-	A
V F	二极管正向压降	IF=450A,Tc=25℃	-	2.05	2.40	V
V F	二极管正向压降	IF=450A,Tvj=125℃	-	2.20	2.60	V
V F	二极管正向压降	IF=450A,Tvj=150℃	-	2.20	2.60	V
I SC	短路电流	Tvj=150℃,VCC=1000V,tp≤10μs	-	2000	-	A

电容、杂散与引线参数

符号	参数名称	测试条件	Typ	单位
C ies	输入电容	VCE=25V,VGE=0V,f=100kHz	42	nF
Q g	总栅电荷	VGE=±15V	4.4	μC
C res	反向传输电容	VCE=25V,VGE=0V,f=100kHz	1.2	nF
L M	模块杂散电感	-	20	nH
R CC’+EE’	单桥臂端子芯片引线内阻	每桥臂	0.9	mΩ

动态开关参数

符号	参数名称	测试条件	Tvj	Typ	单位
t d(off)	关断延迟时间	IC=450A,VCE=900V,RG=2.7Ω,Ls=40nH	25℃	890	ns
t d(off)	关断延迟时间	同上	125℃	940	ns
t d(off)	关断延迟时间	同上	150℃	960	ns
t f	关断下降时间	同上	25℃	560	ns
t f	关断下降时间	同上	125℃	730	ns
t f	关断下降时间	同上	150℃	760	ns
E OFF	关断损耗	同上	25℃	155	mJ
E OFF	关断损耗	同上	150℃	190	mJ
t d(on)	开通延迟时间	di/dt=6400A/μs,RG=2.7Ω	125℃	155	ns
t d(on)	开通延迟时间	同上	150℃	150	ns
t r	开通上升时间	同上	25℃	65	ns
t r	开通上升时间	同上	125℃	75	ns
t r	开通上升时间	同上	150℃	75	ns
E ON	开通损耗	同上	25℃	53	mJ
E ON	开通损耗	同上	125℃	80	mJ
E ON	开通损耗	同上	150℃	86	mJ
Q rr	反向恢复电荷	IF=450A,-diF/dt=6400A/μs	25℃	85	μC
Q rr	反向恢复电荷	同上	125℃	125	μC
Q rr	反向恢复电荷	同上	150℃	145	μC
I rr	反向恢复峰值电流	同上	25℃	425	A
I rr	反向恢复峰值电流	同上	125℃	436	A
I rr	反向恢复峰值电流	同上	150℃	455	A
E rec	反向恢复损耗	同上	25℃	65	mJ
E rec	反向恢复损耗	同上	125℃	94	mJ
E rec	反向恢复损耗	同上	150℃	105	mJ

使用说明条款