TG600HF17M1-S300 半桥IGBT模块数据手册

株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部 Semiconductor Business Unit, Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Limited
静电警示:本器件属于静电敏感器件,仓储、转运、装配、测试全流程必须严格执行ESD静电防护操作规范。

重要提示:本文档为样品预发布版本,量产器件参数存在调整可能,批量采购前请联系厂商确认最终规格。

关键参数 Key Parameters

符号 参数名称 额定典型值 单位
V CES 集射极额定阻断电压 1700 V
V CE(sat) IGBT饱和压降典型值 1.90 V
I C 连续额定集电极电流 600 A
I C(RM) 重复峰值集电极电流 1200 A

器件特点 Features

典型应用 Applications

模块标识编码说明

标识分段 对应含义
前8位字符 生产批次编码
后4位字符 器件唯一序列号

绝对最大额定值(Tc=25℃)

符号 参数名称 测试条件 最大值 单位
V CES 集电极-发射极阻断电压 VGE=0V 1700 V
V GES 栅极-发射极电压 静态极限 ±20 V
I C 持续集电极电流 Tc=100℃,Tvj≤175℃ 600 A
I C(PK) 峰值脉冲电流 脉冲宽度tp=1ms 1200 A
P tot 单管最大耗散功率 Tc=25℃,Tvj=175℃ 2700 W
I²t 续流二极管I²t容量 Vr=0V,10ms,Tvj=150℃ 18.4 kA²·s
V isol 模块绝缘耐压 端子短接对基板 AC50Hz/1min 3400

机械绝缘尺寸参数

项目 说明 数值 单位
端子-散热器爬电距离 绝缘安全距离 14.5 mm
端子之间爬电距离 绝缘安全距离 13.0 mm
端子-散热器电气间隙 空气绝缘距离 12.5
端子之间电气间隙 空气绝缘距离 10.0 mm
CTI漏电起痕指数 绝缘基材 >200 -

热阻、温度与安装参数

符号 参数名称 Min Typ Max 单位
R th(J-C) IGBT IGBT结壳热阻 - - 55 K/kW
R th(J-C) Diode 二极管结壳热阻 - - 95 K/kW
R th(C-H) IGBT IGBT壳散热器热阻 - 28 - K/kW
R th(C-H) Diode 二极管壳散热器热阻 - 48 - K/kW
T vj op IGBT/二极管工作结温 -40 - 150
T stg 存储温度范围 -40 - 125
M5基板安装螺栓扭矩 散热器固定力矩 3 - 6 Nm
M6功率端子扭矩 电气接线紧固力矩 3 - 6 Nm

NTC内置热敏电阻参数

符号 参数名称 测试条件 Min Typ Max 单位
R 25 25℃标称电阻 T C = 25 ℃ - 5 -
ΔR/R 100℃阻值偏差 T C = 100 ℃,R100=493Ω -5 - 5 %
P 25 25℃最大功耗 静态测量 - - 20 mW
B25/50 B值(25℃/50℃) - - 3375 - K
B25/80 B值(25℃/80℃) - - 3411 - K
B25/100 B值(25℃/100℃) - - 3433 - K

静态电气特性(Tc=25℃,无特殊说明)

符号 参数名称 测试条件 Min Typ Max 单位
I CES 集电极截止电流 VGE=0V,VCE=1700V,Tc=25℃ - - 1 mA
I CES 集电极截止电流 VGE=0V,VCE=1700V,Tc=125℃ - - 10 mA
I CES 集电极截止电流 VGE=0V,VCE=1700V,Tc=150℃ - - 20 mA
I GES 栅极漏电流 VGE=±20V,VCE=0V - - 0.5 μA
V GE(TH) 栅极阈值电压 I C=15mA,VGE=VCE 5.00 6.00 7.00 V
V CE(sat) IGBT饱和压降 VGE=15V,IC=600A,Tc=25℃ - 1.90 2.30 V
V CE(sat) IGBT饱和压降 VGE=15V,IC=600A,Tvj=125℃ - 2.18 2.58 V
V CE(sat) IGBT饱和压降 VGE=15V,IC=600A,Tvj=150℃ - 2.28 2.68 V
I F 二极管直流电流 直流稳态 - 600 - A
I FRM 二极管峰值脉冲电流 tp=1ms - 1200 - A
V F 续流二极管正向压降 IF=600A,Tc=25℃ - 2.08 2.45 V
V F 续流二极管正向压降 IF=600A,Tvj=125℃ - 2.24 2.64 V
V F 续流二极管正向压降 IF=600A,Tvj=150℃ - 2.24 2.64 V
I SC 短路峰值电流 Tvj=150℃,VCC=1000V,tp≤10μs - 2000 - A

注:饱和压降、二极管压降测量点为模块辅助功率母排;L为回路叠加杂散电感。

电容与杂散电气参数

符号 参数名称 测试条件 典型值 单位
C ies 输入电容 VCE=25V,VGE=0V,f=100kHz 41 nF
Q g 总栅电荷 VGE=±15V 4.3 μC
C res 反向传输电容 VCE=25V,VGE=0V,f=100kHz 1.18 nF
L M 模块内置杂散电感 - 20 nH
R INT 单桥臂引线内阻 每桥臂回路 0.9

动态开关参数

符号 参数名称 测试条件 Tvj 典型值 单位
t d(off) 关断延迟时间 IC=600A,VCE=900V,RG=2.7Ω,Ls=40nH 25℃ 880 ns
t d(off) 关断延迟时间 同上 125℃ 930 ns
t d(off) 关断延迟时间 同上 150℃ 950 ns
t f 关断下降时间 同上 25℃ 540 ns
t f 关断下降时间 同上 125℃ 710 ns
t f 关断下降时间 同上 150℃ 740 ns
E OFF 关断损耗 同上 25℃ 152 mJ
E OFF 关断损耗 同上 150℃ 186 mJ
t d(on) 开通延迟时间 di/dt=6400A/μs,RG=2.7Ω 125℃ 152 ns
t d(on) 开通延迟时间 同上 150℃ 148 ns
t r 开通上升时间 同上 25℃ 63 ns
t r 开通上升时间 同上 125℃ 72 ns
t r 开通上升时间 同上 150℃ 73 ns
E ON 开通损耗 同上 25℃ 51 mJ
E ON 开通损耗 同上 125℃ 77 mJ
E ON 开通损耗 同上 150℃ 83 mJ
Q rr 反向恢复电荷 IF=600A,-diF/dt=6400A/μs 25℃ 82 μC
Q rr 反向恢复电荷 同上 125℃ 122 μC
Q rr 反向恢复电荷 同上 150℃ 141 μC
I rr 反向恢复峰值电流 同上 25℃ 420 A
I rr 反向恢复峰值电流 同上 125℃ 432 A
I rr 反向恢复峰值电流 同上 150℃ 450 A
E rec 反向恢复损耗 同上 25℃ 62 mJ
E rec 反向恢复损耗 同上 125℃ 90 mJ
E rec 反向恢复损耗 同上 150℃ 101 mJ

手册使用条款

1. 本文档为样品预发布手册,仅供研发评估使用,批量产品参数存在变更风险,正式设计前务必向厂商索取量产版本规格书。

2. 所有电气、热参数均为标准实验室典型测试值,实际器件存在合理偏差,特殊工况需联合厂商仿真验证。

3. 航空航天、生命医疗、核电等高风险设备使用,必须签订专项质量保证协议,完成全套可靠性鉴定。

4. 器件工作电压、电流、结温严禁超过额定极限,超出安全工作区造成损坏厂商不予质保。

5. 模块通电状态禁止触碰端子;断电后充分冷却、释放残余电荷后方可拆装,全程执行ESD防护。