ZK9 1000-32~35 高压快速晶闸管 数据手册

株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部 Semiconductor Business Unit, Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Limited

关键参数 Key Parameters

符号 参数名称 数值 单位
VDRM 断态重复峰值电压 3200~3500 V
IT(AV) 通态平均电流 1000 A
ITSM 通态不重复浪涌电流 12.5 kA
VTO 门槛电压 1.66 V
rT 斜率电阻 0.59

应用 Applications

器件特点 Features

电压额定值 Voltage Ratings

器件型号 VDRM / VRRM (V) 测试条件
ZK9 1000-32 3200 Tvj=25/125℃;IDRM、IRRM ≤500mA;门极断路;tp=10ms;VRSM=VRRM+100V
ZK9 1000-34 3400
ZK9 1000-35 3500

热与机械数据 Thermal & Mechanical Data

符号 参数名称 最小 典型 最大 单位
RthJC 结壳热阻 - - 0.020 K/W
RthCH 接触热阻 - - 0.005 K/W
Tvj 内部等效结温 -40 - 125
Tstg 贮存温度 -40 - 150
F 标准紧固力 - 22 - kN
m 器件质量 - 0.47 - kg

电流额定值 Current Ratings

符号 参数名称 测试条件 最大值 单位
IT(AV) 通态平均电流 正弦半波, TC=70℃ 1000 A
IT(RMS) 通态方均根电流 TC=70℃ 1570 A
ITSM 通态不重复浪涌电流 Tvj=125℃,10ms正弦半波,VR=0 12.5 kA
I²t 电流平方时间积 10ms正弦波 78.1×10³ A²s

静态特性 Characteristic Parameters

符号 参数名称 测试条件 最大值 单位
VTM 通态峰值电压 Tvj=125℃, ITM=1300A 2.44 V
IDRM/IRRM 断态/反向重复峰值电流 Tvj=25/125℃,门极断路 500 mA
VTO 门槛电压 Tvj=125℃ 1.66 V
rT 斜率电阻 Tvj=125℃ 0.59
IH 维持电流 Tvj=25℃ 300 mA
IL 擎住电流 Tvj=25℃ 1000 mA

动态参数 Dynamic Parameters

符号 参数名称 测试条件 规格 单位
dv/dt 断态电压临界上升率 Tvj=125℃,线性上升至0.67VDRM 最小1000 V/μs
di/dt 通态电流临界上升率 Tvj=125℃, ITM=1300A 最大800 A/μs
tgt 开通时间 Tvj=25℃, IT=1000A 最大5 μs
tq 关断时间 Tvj=125℃, IT=1000A 最大60 μs
Qrr 反向恢复电荷 Tvj=125℃,-di/dt=60A/μs 典型840 μC

门极参数 Gate Parameters

符号 参数名称 最小 典型 最大 单位
IGT 门极触发电流 40 - 180 mA
VGT 门极触发电压 0.8 - 3 V
VGD 门极不触发电压 0.2 - - V
VFGM 门极正向峰值电压 - - 16 V
VRGM 门极反向峰值电压 - - 5 V
IFGM 门极正向峰值电流 - - 4 A
PGM 门极峰值功率 - - 20 W
PG(AV) 门极平均功率 - - 4 W