TECHSEM T38ZPR Fast Recovery Diode 规格书

SYMBOL 参数符号	CHARACTERISTIC 参数名称	TEST CONDITIONS 测试条件	Tj(°C)	VALUE 参数值			UNIT 单位
				Min	Type	Max
I_F(AV)	平均正向电流	50Hz 180°半波，双面水冷 Tc=85℃	150	—	—	910	A
V_RRM	重复峰值反向电压	tp=10ms	150	1200	—	2200	V
I_RRM	重复峰值反向漏电流	额定V_RRM	150	—	—	48	mA
I_FSM	10ms浪涌电流	10ms半波，Vr=0.6Vrrm	150	—	—	12.4	kA
i²t	短路i²t容量	10ms短路	150	—	—	76.8	A²s×10³
V_FO	正向阈值电压	Tj=150℃静态	150	—	1.28	—	V
r_F	正向斜率电阻	Tj=150℃	150	—	0.35	—	mΩ
V_FM	正向峰值电压	I_TM=2400A，15kN，25℃	25	—	—	2.78	V
I_rm	反向恢复峰值电流	I_TM=1000A，-di/dt=60A/µs	150	—	48	—	A
t_rr	反向恢复时间	标准测试回路	150	—	2.8	—	µs
Q_rr	反向恢复电荷	标准测试回路	150	68	82	—	µC
R_th(j-c)	结壳热阻	双面水冷15kN压紧	—	—	—	0.035	°C/W
R_th(c-h)	外壳散热器热阻	标准导热硅脂	—	—	0.008	—	°C/W
F_m	推荐压紧力	装配区间	—	10	—	20	kN
T_stg	存储温度	无负载	—	-40	—	160	°C
W_t	器件重量	不含配件	—	—	250	—	g
Outline	封装型号	ZT33cT