TECHSEM Y24ZPB Fast Recovery Low Vf Diode 规格书

SYMBOL 参数符号	CHARACTERISTIC 参数名称	TEST CONDITIONS 测试条件	Tj(°C)	VALUE 参数值			UNIT 单位
				Min	Type	Max
I_F(AV)	平均正向电流	50Hz 180°半波，双面水冷 Tc=85℃	150	—	—	460	A
V_RRM	重复峰值反向电压	tp=10ms	150	600	—	1000	V
I_RRM	重复峰值反向漏电流	额定V_RRM	150	—	—	15	mA
I_FSM	10ms浪涌电流	10ms半波，Vr=0.6Vrrm	150	—	—	5.4	kA
i²t	短路i²t容量	10ms短路	150	—	—	14.6	A²s×10³
V_FO	正向阈值电压	Tj=150℃静态	150	—	1.02	—	V
r_F	正向斜率电阻	Tj=150℃	150	—	0.68	—	mΩ
V_FM	正向峰值电压	I_TM=600A，5kN压紧，25℃	25	—	—	1.50	V
I_rm	反向恢复峰值电流	I_TM=1000A,-di/dt=60A/µs	150	—	32	—	A
t_rr	反向恢复时间	标准测试回路	150	—	1.6	—	µs
Q_rr	反向恢复电荷	标准测试回路	150	28	36	—	µC
R_th(j-c)	结壳热阻	双面水冷5kN压紧	—	—	—	0.080	°C/W
R_th(c-h)	外壳散热器热阻	标准导热硅脂	—	—	0.020	—	°C/W
F_m	推荐压紧力	装配区间	—	3.3	—	5.5	kN
T_stg	存储温度	无负载	—	-40	—	160	°C
W_t	器件重量	不含配件	—	—	60	—	g
Outline	封装型号	ZT19aT