TECHSEM Y55KAC KA1200A1000V KA1200A1100V KA1200V1200V 高频晶闸管规格书

Features 产品特性

Interdigitated amplifying gates 叉指放大门极结构

Fast turn-on and high di/dt 快速开通、高电流上升率

Low switching losses 开关损耗低

Short turn-off time 关断时间短

Hermetic metal cases with ceramic insulators 陶瓷绝缘密封金属外壳

Typical Applications 典型应用

Inductive heating 感应加热设备
Electronic welders 电焊机
Self-commutated inverters 自换相逆变器
AC motor speed control 交流电机调速
General power switching applications 通用功率开关场景

SYMBOL 参数符号	CHARACTERISTIC 参数名称	TEST CONDITIONS 测试条件	Tj(°C) 结温	VALUE 参数值	UNIT 单位
I_T(AV)	Mean on-state current 通态平均电流	180°半波正弦 50Hz 双面水冷散热，Tc=55°C	125	—	—	1730	A
V_DRM V_RRM	断态重复峰值电压反向重复峰值电压	脉冲宽度 tp=10ms	125	800	—	1200	V
I_DRM I_RRM	断态重复峰值电流反向重复峰值电流	施加V_DRM 施加V_RRM	125	—	—	100	mA
I_TSM	Surge on-state current 浪涌通态电流	10ms 半波正弦，V_R=0.6V_RRM	125	—	—	17	kA
i²t	i²t 熔断器保护参数	—	125	—	—	1445	A²s×10³
V_TO	Threshold voltage 阈值电压	—	125	—	1.27	—	V
r_T	On-state slope resistance 通态斜率电阻	—	125	—	0.23	—	mΩ
V_TM	Peak on-state voltage 通态峰值电压	I_TM=3000A, 压紧力F=26kN	25	—	—	3.20	V
dv/dt	Critical voltage rise rate 临界断态电压上升率	V_DM=0.67V_DRM	125	—	—	1000	V/μs
di/dt	Critical current rise rate 临界通态电流上升率	V_DM=67%V_DRM 门极脉冲t≤0.5μs I_GM=1.5A	125	—	—	1500	A/μs
Q_rr	Recovery charge 反向恢复电荷	I_TM=2000A, tp=2000μs, di/dt=-60A/μs, V_R=50V	125	—	90	110	μC
tq	Circuit commutated turn-off time 电路换相关断时间	I_TM=1500A, tp=1000μs, V_R=50V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs	125	10	—	20	μs
I_GT	Gate trigger current 门极触发电流	—	25	30	—	300	mA
V_GT	Gate trigger voltage 门极触发电压	V_A=12V, I_A=1A	25	0.8	—	3.0	V
I_H	Holding current 维持电流	—	25	20	—	400	mA
V_GD	Non-trigger gate voltage 门极不触发电压	V_DM=67%V_DRM	125	0.3	—	—	V
R_th(j-c)	热阻结到外壳	180°正弦波、双面冷却，压紧力26kN	—	—	—	0.018	°C /W
R_th(c-h)	热阻外壳到散热器	—	—	—	—	0.004	°C /W
F_m	Mounting force 安装压紧力	—	—	21	—	30	kN
T_stg	Stored temperature 存储温度	—	—	-40	—	140	°C
W_t	Weight 器件重量	—	—	—	620	—	g
Outline	封装外形	KT54cT55

SYMBOL 参数符号

CHARACTERISTIC 参数名称

TEST CONDITIONS 测试条件

Tj(°C) 结温

VALUE 参数值

UNIT 单位

Min 最小值

Type 典型值

Max 最大值

I_T(AV)

Mean on-state current 通态平均电流

180°半波正弦 50Hz
双面水冷散热，Tc=55°C

125

—

1730

V_DRM
V_RRM

断态重复峰值电压
反向重复峰值电压

脉冲宽度 tp=10ms

125

800

—

1200

I_DRM
I_RRM

断态重复峰值电流
反向重复峰值电流

施加V_DRM
施加V_RRM

125

—

100

I_TSM

Surge on-state current 浪涌通态电流

10ms 半波正弦，V_R=0.6V_RRM

125

—

i²t

i²t 熔断器保护参数

—

125

—

1445

A²s×10³

V_TO

Threshold voltage 阈值电压

—

125

—

1.27

—

r_T

On-state slope resistance 通态斜率电阻

—

125

—

0.23

—

mΩ

V_TM

Peak on-state voltage 通态峰值电压

I_TM=3000A, 压紧力F=26kN

—

3.20

dv/dt

Critical voltage rise rate 临界断态电压上升率

V_DM=0.67V_DRM

125

—

1000

V/μs

di/dt

Critical current rise rate 临界通态电流上升率

V_DM=67%V_DRM
门极脉冲t≤0.5μs I_GM=1.5A

125

—

1500

A/μs

Q_rr

Recovery charge 反向恢复电荷

I_TM=2000A, tp=2000μs, di/dt=-60A/μs, V_R=50V

125

—

110

μC

Circuit commutated turn-off time 电路换相关断时间

I_TM=1500A, tp=1000μs, V_R=50V
dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

—

μs

I_GT

Gate trigger current 门极触发电流

—

300

V_GT

Gate trigger voltage 门极触发电压

V_A=12V, I_A=1A

0.8

—

3.0

I_H

Holding current 维持电流

—

400

V_GD

Non-trigger gate voltage 门极不触发电压

V_DM=67%V_DRM

125

0.3

—

R_th(j-c)

热阻结到外壳

180°正弦波、双面冷却，压紧力26kN

—

0.018

°C /W

R_th(c-h)

热阻外壳到散热器

—

0.004

°C /W

F_m

Mounting force 安装压紧力

—

T_stg

Stored temperature 存储温度

—

-40

—

140

°C

W_t

Weight 器件重量

—

620

—

Outline

封装外形

KT54cT55