Super Large Current Low Voltage Thyristor
| 完整型号 | Y100KPC-KT100cT |
| Tc=70℃ IT(AV) | 5300 A |
| 标准耐压档位 | 400V ~ 1000V |
| SYMBOL 参数符号 | CHARACTERISTIC 参数名称 | TEST CONDITIONS 测试条件 | Tj(°C) | VALUE 参数值 | UNIT 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Min | Type | Max | |||||
| IT(AV) | 通态平均电流 | 50Hz 180°半波，双面水冷Tc=70℃ | 125 | — | — | 5300 | A |
| VDRM/VRRM | 断态/反向重复峰值电压 | tp=10ms | 125 | 400 | — | 1000 | V |
| IDRM/IRRM | 断态/反向漏电流 | 额定阻断电压Tj=125℃ | 125 | — | — | 240 | mA |
| ITSM | 10ms浪涌电流 | 50Hz半波 Vr=0.6Vrrm | 125 | — | — | 71.5 | kA |
| i²t | 短路i²t参数 | 10ms短路工况 | 125 | — | — | 25560 | A²s×10³ |
| VTO | 阈值电压 | Tj=125℃静态 | 125 | — | 0.85 | — | V |
| rT | 通态斜率电阻 | Tj=125℃ | 125 | — | 0.055 | — | mΩ |
| VTM | 通态峰值电压 | ITM=6000A，压紧力90kN，25℃ | 25 | — | — | 1.68 | V |
| dv/dt | 临界断态电压上升率 | Vdm=0.67Vdrm | 125 | — | — | 1000 | V/μs |
| di/dt | 临界开通电流上升率 | 门极tr≤0.5μs Igm=1.5A | 125 | — | — | 260 | A/μs |
| Qrr | 反向恢复电荷 | ITM=2200A,tp=2000µs, -di/dt=-20A/µs, VR=50V | 125 | — | 3200 | — | μC |
| IGT | 门极触发电流 | VA=12V, IA=1A，25℃ | 25 | 40 | — | 300 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | VA=12V, IA=1A | 25 | 0.8 | — | 3.0 | V |
| IH | 维持电流 | 常温静态测试 | 25 | 20 | — | 300 | mA |
| VGD | 门极不触发电压 | Vdm=0.67Vdrm Tj=125℃ | 125 | 0.3 | — | — | V |
| Rth(j-c) | 结到外壳热阻 | 180°正弦，双面水冷，90kN压紧力 | — | — | — | 0.006 | °C /W |
| Rth(c-h) | 外壳-散热器接触热阻 | 标准导热硅脂接触面 | — | — | 0.0015 | — | °C /W |
| Fm | 标准安装压紧力 | 压接装配区间 | — | 81 | 90 | 108 | kN |
| Tvj | 长期工作结温 | 连续运行工况 | — | -40 | — | 125 | °C |
| Tstg | 存储温度范围 | 无负载静置存放 | — | -40 | — | 140 | °C |
| Wt | 器件净重 | 不含安装配件 | — | — | 2000 | — | g |
| Outline | 封装型号 | KT100cT | |||||