Phase Control Thyristor 晶闸管
| SYMBOL 参数符号 | CHARACTERISTIC 参数名称 | TEST CONDITIONS 测试条件 | Tj(°C) 结温 | VALUE 参数值 | UNIT 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Min 最小值 | Type 典型值 | Max 最大值 | |||||
| IT(AV) | Mean on-state current 通态平均电流 | 180°半波50Hz，双面水冷Tc=70°C | 125 | — | — | 660 | A |
| VDRM VRRM |
断态/反向重复峰值电压 | tp=10ms脉冲耐压测试 | 125 | 1000 | — | 1600 | V |
| IDRM IRRM |
断态/反向峰值漏电流 | 额定电压下稳态测试 | 125 | — | — | 36 | mA |
| ITSM | Surge on-state current 10ms浪涌电流 | 50Hz半波，Vr=0.6Vrrm | 125 | — | — | 8.3 | kA |
| i²t | 熔断器匹配耐受i²t参数 | 10ms短路浪涌工况 | 125 | — | — | 344 | A²s×10³ |
| VTO | Threshold voltage 通态阈值电压 | Tj=125°C静态测试 | 125 | — | 0.87 | 0.90 | V |
| rT | On-state slope resistance 通态斜率电阻 | — | 125 | — | 0.71 | — | mΩ |
| VTM | Peak on-state voltage 通态峰值压降 | ITM=1100A，压紧力14kN | 25 | — | — | 2.05 | V |
| dv/dt | Critical dv/dt 临界断态电压上升率 | Vdm=0.67×Vdrm | 125 | — | — | 900 | V/μs |
| di/dt | Critical di/dt 临界开通电流上升率 | 门极上升沿tr≤0.5μs，Igm=1.5A | 125 | — | — | 140 | A/μs |
| Qrr | 反向恢复电荷 | ITM=900A, tp=4000µs, -di/dt=-20A/µs, Vr=100V | 125 | — | 920 | — | μC |
| IGT | Gate trigger current 门极触发电流 | VA=12V，IA=1A，25°C | 25 | 32 | — | 240 | mA |
| VGT | Gate trigger voltage 门极触发电压 | VA=12V，IA=1A | 25 | 0.78 | — | 2.4 | V |
| IH | Holding current 维持电流 | 常温静态测试 | 25 | 18 | — | 190 | mA |
| IL | Latching current 擎住电流 | — | 25 | — | — | 480 | mA |
| VGD | 门极不触发电压 | Vdm=0.67Vdrm，Tj=125°C | 125 | 0.3 | — | — | V |
| Rth(j-c) | 结到外壳热阻 | 双面水冷，标准压紧14kN | — | — | — | 0.037 | °C/W |
| Fm | 标准安装压紧力 | 压接装配区间 | — | 9 | 14 | 19 | kN |
| Tvj | 长期工作结温范围 | 连续通电运行 | — | -40 | — | 125 | °C |
| Tstg | 器件存储温度 | 无负载静置存放 | — | -40 | — | 140 | °C |
| Wt | 单只净重 | 不含安装配件 | — | — | 230 | — | g |
| Outline | 封装型号 | KT33cT | |||||