TECHSEM Y50KPE KP1200A1200V KP1200A1400V KP1200A1600V KP1200A1800V 晶闸管规格书

Features 产品特性

Center amplifying gate 中心放大门极
Metal case with ceramic insulator 陶瓷绝缘金属外壳
Low on-state and switching losses 通态、开关损耗低

Typical Applications 典型应用

AC controllers 交流调压设备
DC and AC motor control 交直流电机调速
Controlled rectifiers 可控整流装置

基础型号参数

完整型号	Y50KPE-KT46cT
通态平均电流 I_T(AV)	1380 A
标准耐压档位	1200V / 1400V / 1600V / 1800V

SYMBOL 参数符号	CHARACTERISTIC 参数名称	TEST CONDITIONS 测试条件	Tj(°C) 结温	VALUE 参数值	UNIT 单位
I_T(AV)	Mean on-state current 通态平均电流	180°半波50Hz，双面水冷，Tc=70°C	125	—	—	1380	A
V_DRM V_RRM	断态/反向重复峰值电压	脉冲宽度 tp=10ms	125	1100	—	1800	V
I_DRM I_RRM	断态/反向峰值电流	施加额定V_DRM/V_RRM	125	—	—	62	mA
I_TSM	Surge on-state current 浪涌通态电流	10ms半波正弦，V_R=0.6V_RRM	125	—	—	17.3	kA
i²t	i²t for fusing coordination 熔断器匹配参数	浪涌工况10ms	125	—	—	1496	A²s×10³
V_TO	Threshold voltage 阈值电压	Tj=125°C	125	—	0.84	0.87	V
r_T	On-state slope resistance 通态斜率电阻	—	125	—	0.55	—	mΩ
V_TM	Peak on-state voltage 通态峰值电压	I_TM=2350A，压紧力21kN	25	—	—	1.93	V
dv/dt	Critical rate of rise of off-state voltage 临界断态电压上升率	V_DM=0.67V_DRM	125	—	—	1000	V/μs
di/dt	Critical rate of rise of on-state current 临界通态电流上升率	V_DM=67%V_DRM，门极tr≤0.5μs I_GM=1.5A	125	—	—	140	A/μs
Q_rr	Recovery charge 反向恢复电荷	I_TM=2100A,tp=4000µs, -di/dt=-20A/µs, V_R=100V	125	—	1920	—	μC
I_GT	Gate trigger current 门极触发电流	V_A=12V, I_A=1A	25	30	—	225	mA
V_GT	Gate trigger voltage 门极触发电压	V_A=12V, I_A=1A	25	0.75	—	2.40	V
I_H	Holding current 维持电流	常温静态测试	25	17	—	175	mA
I_L	Latching current 擎住电流	—	25	—	—	440	mA
V_GD	Non-trigger gate voltage 门极不触发电压	V_DM=0.67V_DRM	125	0.3	—	—	V
R_th(j-c)	Thermal resistance Junction to case 结到外壳热阻	180°正弦、双面冷却，压紧力21kN	—	—	—	0.024	°C /W
R_th(c-h)	Thermal resistance case to heatsink 外壳散热器热阻	标准导热硅脂接触面	—	—	0.0065	—	°C /W
F_m	Mounting force 安装压紧力	压接装配标准范围	—	16	—	26	kN
T_vj	Junction temperature 工作结温	长期连续运行	—	-40	—	125	°C
T_stg	Stored temperature 存储温度	无通电静置存放	—	-40	—	140	°C
W_t	Weight 器件重量	整机单颗净重	—	—	410	—	g
Outline	封装外形型号	KT46cT

SYMBOL 参数符号

CHARACTERISTIC 参数名称

TEST CONDITIONS 测试条件

Tj(°C) 结温

VALUE 参数值

UNIT 单位

Min 最小值

Type 典型值

Max 最大值

I_T(AV)

Mean on-state current 通态平均电流

180°半波50Hz，双面水冷，Tc=70°C

125

—

1380

V_DRM
V_RRM

断态/反向重复峰值电压

脉冲宽度 tp=10ms

125

1100

—

1800

I_DRM
I_RRM

断态/反向峰值电流

施加额定V_DRM/V_RRM

125

—

I_TSM

Surge on-state current 浪涌通态电流

10ms半波正弦，V_R=0.6V_RRM

125

—

17.3

i²t

i²t for fusing coordination 熔断器匹配参数

浪涌工况10ms

125

—

1496

A²s×10³

V_TO

Threshold voltage 阈值电压

Tj=125°C

125

—

0.84

0.87

r_T

On-state slope resistance 通态斜率电阻

—

125

—

0.55

—

mΩ

V_TM

Peak on-state voltage 通态峰值电压

I_TM=2350A，压紧力21kN

—

1.93

dv/dt

Critical rate of rise of off-state voltage 临界断态电压上升率

V_DM=0.67V_DRM

125

—

1000

V/μs

di/dt

Critical rate of rise of on-state current 临界通态电流上升率

V_DM=67%V_DRM，门极tr≤0.5μs I_GM=1.5A

125

—

140

A/μs

Q_rr

Recovery charge 反向恢复电荷

I_TM=2100A,tp=4000µs, -di/dt=-20A/µs, V_R=100V

125

—

1920

—

μC

I_GT

Gate trigger current 门极触发电流

V_A=12V, I_A=1A

—

225

V_GT

Gate trigger voltage 门极触发电压

V_A=12V, I_A=1A

0.75

—

2.40

I_H

Holding current 维持电流

常温静态测试

—

175

I_L

Latching current 擎住电流

—

440

V_GD

Non-trigger gate voltage 门极不触发电压

V_DM=0.67V_DRM

125

0.3

—

R_th(j-c)

Thermal resistance Junction to case 结到外壳热阻

180°正弦、双面冷却，压紧力21kN

—

0.024

°C /W

R_th(c-h)

Thermal resistance case to heatsink 外壳散热器热阻

标准导热硅脂接触面

—

0.0065

—

°C /W

F_m

Mounting force 安装压紧力

压接装配标准范围

—

T_vj

Junction temperature 工作结温

长期连续运行

—

-40

—

125

°C

T_stg

Stored temperature 存储温度

无通电静置存放

—

-40

—

140

°C

W_t

Weight 器件重量

整机单颗净重

—

410

—

Outline

封装外形型号

KT46cT