Features 产品特性

Typical Applications 典型应用

基础型号参数

完整型号 Y55KPH-KT50cT
通态平均电流 IT(AV) 1280 A
标准耐压档位 2000V ~ 3600V
SYMBOL 参数符号 CHARACTERISTIC 参数名称 TEST CONDITIONS 测试条件 Tj(°C) 结温 VALUE 参数值 UNIT 单位
Min 最小值 Type 典型值 Max 最大值
IT(AV) Mean on-state current 通态平均电流 180°半波50Hz,双面水冷,Tc=70°C 125 1280 A
VDRM
VRRM
断态/反向重复峰值电压 脉冲宽度 tp=10ms 125 2000 3600 V
IDRM
IRRM
断态/反向峰值电流 施加额定VDRM/VRRM 125 175 mA
ITSM Surge on-state current 浪涌通态电流 10ms半波正弦,VR=0.6VRRM 125 16.2 kA
i²t i²t for fusing coordination 熔断器匹配参数 浪涌工况10ms 125 1312 A²s×10³
VTO Threshold voltage 阈值电压 Tj=125°C 125 1.23 V
rT On-state slope resistance 通态斜率电阻 125 1.08
VTM Peak on-state voltage 通态峰值电压 ITM=2800A,压紧力26kN 25 3.12 V
dv/dt Critical rate of rise of off-state voltage 临界断态电压上升率 VDM=0.67VDRM 125 1700 V/μs
di/dt Critical rate of rise of on-state current 临界通态电流上升率 VDM=67%VDRM,门极tr≤0.5μs IGM=1.5A 125 80 A/μs
Qrr Recovery charge 反向恢复电荷 ITM=2400A,tp=4000µs, -di/dt=-20A/µs, VR=100V 125 2550 μC
IGT Gate trigger current 门极触发电流 VA=12V, IA=1A 25 44 320 mA
VGT Gate trigger voltage 门极触发电压 VA=12V, IA=1A 25 0.85 3.20 V
IH Holding current 维持电流 常温静态测试 25 19 170 mA
IL Latching current 擎住电流 25 420 mA
VGD Non-trigger gate voltage 门极不触发电压 VDM=0.67VDRM 125 0.3 V
Rth(j-c) Thermal resistance Junction to case 结到外壳热阻 180°正弦、双面冷却,压紧力26kN 0.022 °C /W
Rth(c-h) Thermal resistance case to heatsink 外壳散热器热阻 标准导热硅脂接触面 0.006 °C /W
Fm Mounting force 安装压紧力 压接装配标准范围 23 31 kN
Tvj Junction temperature 工作结温 长期连续运行 -40 125 °C
Tstg Stored temperature 存储温度 无通电静置存放 -40 140 °C
Wt Weight 器件重量 整机单颗净重 510 g
Outline 封装外形型号 KT50cT