Features 产品特性

  • Center amplifying gate 中心放大门极,均流优异
  • Metal case with ceramic insulator 陶瓷金属压接外壳
  • Low on-state and switching losses 极低通态、开关损耗
  • Typical Applications 典型应用

    基础型号速查表

    完整型号 Y76KPC-KT73cT
    Tc=70℃ 通态平均电流 IT(AV) 3700 A
    标准耐压档位 400V ~ 1000V
    10ms浪涌电流 ITSM 60 kA
    i²t(10ms) 18000 A²s×10³
    SYMBOL 参数符号 CHARACTERISTIC 参数名称 TEST CONDITIONS 测试条件 Tj(°C) VALUE 参数值 UNIT 单位
    Min Type Max
    IT(AV) 通态平均电流 50Hz 180°半波,双面水冷 Tc=70℃ 125 3700 A
    VDRM/VRRM 断态/反向重复峰值电压 脉冲宽度 tp=10ms 125 400 1000 V
    IDRM/IRRM 断态/反向峰值漏电流 额定阻断电压 Tj=125℃ 125 200 mA
    ITSM 10ms浪涌通态电流 50Hz半波,VR=0.6VRRM 125 60 kA
    i²t 熔断器匹配i²t参数 10ms短路工况 125 18000 A²s×10³
    VTO 通态阈值电压 Tj=125℃静态测试 125 0.85 V
    rT 通态斜率电阻 Tj=125℃ 125 0.07
    VTM 通态峰值电压 ITM=5000A,压紧力40kN,25℃ 25 1.80 V
    dv/dt 临界断态电压上升率 VDM=0.67VDRM 125 1000 V/μs
    di/dt 临界开通电流上升率 VDM=67%VDRM,门极tr≤0.5μs IGM=1.5A 125 250 A/μs
    Qrr 反向恢复电荷 ITM=2000A,tp=2000µs, -di/dt=-20A/µs, VR=50V 125 2400 μC
    IGT 门极触发电流 VA=12V, IA=1A,25℃ 25 40 300 mA
    VGT 门极触发电压 VA=12V, IA=1A 25 0.8 3.0 V
    IH 维持电流 常温静态测试 25 20 300 mA
    VGD 门极不触发电压 VDM=0.67VDRM,Tj=125℃ 125 0.3 V
    Rth(j-c) 结到外壳热阻 180°正弦,双面水冷,40kN压紧力 0.010 °C /W
    Rth(c-h) 外壳-散热器接触热阻 标准导热硅脂接触面 0.003 °C /W
    Fm 标准安装压紧力 压接装配区间 35 47 kN
    Tvj 长期工作结温 连续运行工况 -40 125 °C
    Tstg 存储温度范围 无负载静置存放 -40 140 °C
    Wt 器件净重 不含安装配件 1100 g
    Outline 封装型号 KT73cT