Bi-Directional Control Thyristor 双向可控晶闸管
| 完整型号 | H50KSR-KS50dT |
| 平均通态电流 IT(AV) | 350 A |
| 额定阻断电压范围 | 5600V ~ 6500V |
| SYMBOL 参数符号 | CHARACTERISTIC 参数名称 | TEST CONDITIONS 测试条件 | Tj(°C) | VALUE 参数值 | UNIT 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Min | Type | Max | |||||
| IT(AV) | 平均通态电流 | 50Hz 180°半波，双面水冷 | 125 | — | — | 350 | A |
| IT(RMS)F | 正弦有效值电流 | 50Hz正弦波，Tc=70℃双面水冷 | 125 | — | — | 770 | A |
| VDRM/VRRM | 重复峰值阻断电压 | 脉冲宽度 tp=10ms | 125 | 5600 | — | 6500 | V |
| IDRM | 阻断峰值漏电流 | 施加VDRM | 125 | — | — | 200 | mA |
| ITSM | 10ms浪涌电流 | 10ms半波，Vr=0.6Vrrm | 125 | — | — | 4.5 | kA |
| i²t | 熔断器匹配i²t参数 | 10ms短路工况 | 125 | — | — | 101 | A²s×10³ |
| VTO | 通态阈值电压 | Tj=125℃静态 | 125 | — | — | 1.25 | V |
| rT | 通态斜率电阻 | Tj=125℃ | 125 | — | 2.20 | — | mΩ |
| VTM | 通态峰值电压 | ITM=1000A，压紧力24kN，25℃ | 25 | — | — | 3.50 | V |
| dv/dt | 临界电压上升率 | Vdm=0.67Vdrm | 125 | — | — | 200 | V/μs |
| di/dt | 临界开通电流上升率 | Vdm=67%Vdrm，门极tr≤0.5μs Igm=1.5A | 125 | — | — | 100 | A/μs |
| IGT | 门极触发电流 | VA=12V IA=1A 25℃ | 25 | 40 | — | 350 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | VA=12V IA=1A | 25 | 0.8 | — | 3.5 | V |
| IH | 维持电流 | 常温静态 | 25 | 20 | — | 400 | mA |
| IL | 擎住电流 | 常温静态 | 25 | — | — | 500 | mA |
| VGD | 门极不触发电压 | Vdm=0.67Vdrm Tj=125℃ | 125 | 0.3 | — | — | V |
| Rth(j-c) | 结到外壳热阻 | 双面水冷，24kN压紧 | — | — | — | 0.045 | °C/W |
| Rth(c-h) | 外壳散热器接触热阻 | 标准导热硅脂接触面 | — | — | 0.008 | — | °C/W |
| Fm | 安装压紧力 | 装配区间 | — | 19 | — | 26 | kN |
| Tvj | 工作结温 | 长期连续运行 | — | -40 | — | 125 | °C |
| Tstg | 存储温度 | 无负载静置 | — | -40 | — | 140 | °C |
| Wt | 器件净重 | 不含配件 | — | — | 440 | — | g |
| Outline | 封装型号 | KS50dT | |||||